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IRFH5406PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
60
–––
––– V
V GS = 0V, I D = 250uA
ΔΒ V DSS / Δ T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.07
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1.0mA
m Ω
R DS(on)
V GS(th)
Δ V GS(th)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
2.0
–––
11.4
–––
-8.6
14.4
4.0 V
––– mV/°C
V GS = 10V, I D = 24A
V DS = V GS , I D = 50 μ A
I DSS
I GSS
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
250
100
-100
μ A
nA
V DS = 60V, V GS = 0V
V DS = 60V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 20V
V GS = -20V
gfs
Q g
Q gs1
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
27
–––
–––
–––
21
3.6
––– S
32
–––
V DS = 25V, I D = 24A
V DS = 30V
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
–––
–––
–––
–––
1.9
6.5
9
8.4
–––
–––
–––
–––
nC
V GS = 10V
I D = 24A
Q oss
Output Charge
–––
7.4
––– nC
V DS = 16V, V GS = 0V
R G
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.1
5.4
8.7
12
3.5
1256
206
92
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Ω
ns
pF
V DD = 30V, V GS = 10V
I D = 24A
R G =1.7 Ω
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
45
24
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
40
160
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
––– ––– 1.3 V
––– 20 30 ns
––– 74 111 nC
T J = 25°C, I S = 24A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 24A, V DD = 30V
di/dt = 500A/ μ s
t on
Forward Turn-On Time
Time is dominated by parasitic Inductance
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC (Bottom)
R θ JC (Top)
R θ JA
R θ JA (<10s)
Junction-to-Case
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
–––
–––
–––
–––
2.7
15
35
22
°C/W
2
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
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December 16, 2013
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